三菱機(jī)電股份有限公司此次推出采取了SiC※1的功率半導(dǎo)體新產(chǎn)物“SiC-SBD※2”，新產(chǎn)物為有用下降用于空調(diào)及太陽(yáng)能發(fā)電中的家電工業(yè)用電源體系的耗電量、減少其體積做出了進(jìn)獻(xiàn)。該產(chǎn)物將于3月1日起陸續(xù)出售。

※1 Silicon Carbide：碳化硅

※2 Schottky Barrier Diode：肖特基勢(shì)壘二極管

新產(chǎn)物的特色

1．經(jīng)由過(guò)程采取SiC，為下降耗電量、減少體積做出進(jìn)獻(xiàn)

經(jīng)由過(guò)程應(yīng)用SiC年夜幅下降開關(guān)消耗，下降約21％的電力消耗※3

完成高速開關(guān)，為減少電抗器等配套零部件的體積做出進(jìn)獻(xiàn)

※3　與內(nèi)置PFC電路的三菱機(jī)電產(chǎn)物功率半導(dǎo)體模塊“DIPPFCTM”上搭載的Si（硅）二極管比擬

2．經(jīng)由過(guò)程采取JBS構(gòu)造，進(jìn)步靠得住性

采取pn結(jié)與肖特基結(jié)相聯(lián)合的JBS※4構(gòu)造

經(jīng)由過(guò)程JBS構(gòu)造進(jìn)步浪涌電流耐量，從而進(jìn)步靠得住性

※4　Junction Barrier Schottky

出售概要

發(fā)賣目的

最近幾年來(lái)，出于節(jié)能環(huán)保的斟酌，人們對(duì)可以或許年夜幅下降電力消耗或應(yīng)用SiC完成高速開關(guān)的功率半導(dǎo)體的等待逐步低落。三菱機(jī)電自2010年起陸續(xù)推出了搭載SiC-SBD、SiC-MOSFET※5的SiC功率半導(dǎo)體模塊，普遍運(yùn)用于空調(diào)和工業(yè)機(jī)械、鐵路車輛的逆變器體系等，為下降家電及工業(yè)機(jī)械的耗電量，減少其體積和分量做出了進(jìn)獻(xiàn)。

在這一配景下，此次將出售采取了SiC的功率半導(dǎo)體“SiC-SBD”。搭載在電源體系中的“SiC-SBD”，將為下降客戶的體系耗電量，減少體積做出進(jìn)獻(xiàn)。

本產(chǎn)物的開辟部門獲得了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支撐。

※5　metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

重要規(guī)格

※6　8.3msec, sine wave